概述1.0 器件概述 存储器：FLASH 空间：2K*14 位。可经受 10 万次写操作。EEPROM 空间：256 字节。可经受 100 万次写操作。SRAM 空间：128 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置具有独立方向控制的 14 个 I/O 引脚：PA 口 6 个、PC 口 8个。高灌/拉电流可直接驱动 LED。PA 端口引脚电平变化中断。PA 端口独立的可编程弱上拉。
2021-03-02 fandoukeji
概述1. 概述本 IC 是 8 位元 FLASH 單晶片，採用完全靜態CMOS 技術設計，集高速、體積小、省電和高抗干擾性一體的晶片，記憶體包括 4K*14 程式ROM 和 192*8 靜態 RAM，及 256*8 的 EEPROM。2. 特點以下是關於軟硬體方面的一些特性:◆8 位元設計單晶片，完全 CMOS 靜態設計◆程式 ROM 大小:4K，14 位指令長度◆內部 RAM 大小:192 BY
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概述 存储器：FLASH 空间：4K*14 位。可经受 10 万次写操作。EEPROM 空间：256 字节。可经受 100 万次写操作。SRAM 空间：256 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置具有独立方向控制的 22 个 I/O 引脚：PA 口 6 个、PB 口 8个、PC 口 8 个。高灌/拉电流可直接驱动 LED。PA 端口引脚电平变化中断。PA 端口独立的可编程弱上拉。
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概述 存储器：MTP 空间：2K*14 位。可经受 1000 次写操作。SRAM 空间：128 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置具有独立方向控制的 11 个 I/O 引脚：PA 口 5 个、PC 口 6个。一个只能作输入的 PA3 口。高灌/拉电流可直接驱动 LED。PA 端口引脚电平变化中断。PA、PC 端口独立的可编程弱上拉。 定时器Timer0：带 8 位可编程预分频
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概述 存储器：MTP 空间：2K*14 位。可经受 1000 次写操作。SRAM 空间：128 字节。 单片机特性• 上电复位（Power-on Reset，POR）、上电延时定时器（ Power-up Timer， PWRT）和振荡器起振定时器（OscillatorStart-up Timer ， OST）• 可编程欠压复位（Programmable Brown-out Reset ，
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MDT10F696概述1 器件概述 存储器： MTP 空间：2K*14 位。可经受 1000 次写操作。 SRAM 空间：128 字节。 8 级深硬件堆栈 I/O 引脚配置 具有独立方向控制的 14 个 I/O 引脚：PA 口 5 个、PC 口 8 个。 PA3 开漏输出，带内部上拉。 高灌/拉电流可直接驱动 LED。 PA 端口引脚电平变化中断。 PA、PC 端口独立的可编程弱上拉/下拉
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概述 内 核 1T 8051内核，兼容标准8051指令集 内核最高工作频率 16MHz 存 储 8K字节MAIN FLASH程序存储器，支 持IAP（应用中自编程）功能（IAP操 作时CPU暂停运行） 512字节DATA FLASH数据存储器，支 持IAP（应用中自编程）功能（IAP操 作时CPU暂停运行） 核内256字节SRAM，核外768字节 SRAM 复
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MDT10P72概述1. General DescriptionThis EPROM-Based 8-bit micro-controller uses a fully staticCMOS technology process to achieve higher speed andsmaller size with the low power consumption and highnoise
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